台积电刘德音：3nm制程进度甚至超预期

台积电董事长刘德音日前在国际固态电路会议 (ISSCC) 线上专题演讲时表示，3nm按计划时程发展，进度甚至较原先预期超前，有信心看到未来节点将会如期推进、量产。 
 
MoneyDJ报道称，刘德音指出，台积电 3nm仍采用FinFET架构，2nm后将转向GAA架构，主要是量产技术考量，可较 FinFET提供更多静电控制。 
 
展望未来，刘德音表示，3D芯片堆叠会是重点，而通过台积电的SoIC(system on IC)、低温键合(bonding)制程，可实现3D芯片堆叠。 
 
此前业内人士称台积电计划在2021年投入超150亿美元推进公司的3nm工艺技术。根据台积电的说法，与5nm工艺相比，3nm工艺可以将晶体管密度提高70%，或提高15%的性能，降低30%的功耗。